IGBT vs GTO
GTO (Gate Turn-off Thyristor) et IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) sont deux types de dispositifs semi-conducteurs à trois bornes. Les deux sont utilisés pour contrôler les courants et à des fins de commutation. Les deux appareils ont un terminal de contrôle appelé «porte», mais ont des principes de fonctionnement différents.
GTO (thyristor d'arrêt de porte)
Le GTO est composé de quatre couches semi-conductrices de type P et de type N, et la structure du dispositif est peu différente de celle d'un thyristor normal. Dans l'analyse, GTO est également considéré comme une paire couplée de transistors (un PNP et l'autre en configuration NPN), comme pour les thyristors normaux. Trois bornes de GTO sont appelées «anode», «cathode» et «porte».
En fonctionnement, le thyristor agit comme conducteur lorsqu'une impulsion est fournie à la grille. Il a trois modes de fonctionnement appelés «mode de blocage inverse», «mode de blocage avant» et «mode de conduite avant». Une fois que la porte est déclenchée avec l'impulsion, le thyristor passe en «mode conducteur direct» et reste conducteur jusqu'à ce que le courant direct devienne inférieur au seuil «courant de maintien».
En plus des caractéristiques des thyristors normaux, l'état «off» du GTO est également contrôlable par des impulsions négatives. Dans les thyristors normaux, la fonction «off» se produit automatiquement.
Les GTO sont des dispositifs d'alimentation et sont principalement utilisés dans les applications à courant alternatif.
Transistor bipolaire à grille isolée (IGBT)
L'IGBT est un dispositif semi-conducteur avec trois bornes appelées «émetteur», «collecteur» et «porte». C'est un type de transistor qui peut gérer une plus grande quantité de puissance et a une vitesse de commutation plus élevée, ce qui le rend très efficace. L'IGBT a été introduit sur le marché dans les années 1980.
L'IGBT présente les caractéristiques combinées du transistor MOSFET et du transistor à jonction bipolaire (BJT). Il est commandé par grille comme le MOSFET et possède des caractéristiques de tension de courant comme les BJT. Par conséquent, il présente les avantages à la fois d'une capacité de traitement de courant élevé et d'une facilité de contrôle. Les modules IGBT (composés de plusieurs appareils) gèrent des kilowatts de puissance.
Quelle est la différence entre IGBT et GTO?
1. Trois bornes de l'IGBT sont appelées émetteur, collecteur et grille, tandis que GTO a des bornes appelées anode, cathode et grille.
2. La porte du GTO n'a besoin que d'une impulsion pour la commutation, tandis que l'IGBT a besoin d'une alimentation continue en tension de grille.
3. IGBT est un type de transistor et GTO est un type de thyristor, qui peut être considéré comme une paire de transistors étroitement couplés dans l'analyse.
4. IGBT n'a qu'une seule jonction PN, et GTO en a trois
5. Les deux appareils sont utilisés dans des applications à haute puissance.
6. GTO a besoin de périphériques externes pour contrôler les impulsions d'activation et de désactivation, alors que l'IGBT n'en a pas besoin.
